Способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами, который изобрели российские ученые, позволит конструировать миниатюрные изделия электроники.

Пока рано говорить о промышленном производстве микросхем в одну молекулу толщиной. Ученым необходимо провести дополнительные исследования, сообщает газета «Известия».

«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — сказал изданию главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский.

Он также отметил, что с помощью данного метода можно быстро, просто и дешево получить материал с контролируемой запрещенной зоной. Позже его можно будет применить в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии.